无锡海明威电子科技有限公司东芝MCU单片机代理、安华高光耦、村田Murata、罗姆、TDK代理，东芝光耦:TLP620,TLP185,TLP181,TLP127,TLP701,TLP2168,TLP2468,TLP2160,TLP627-4,TLP521-4,TLP108,TLP105,TLP180,TLP184,TLP280-4,TLP291-4,TLP281-4,TLP290-4等MOS管：2SK3878,2SK2962,2SK3078A,2SK208-O,2SK209-Y,TK6A80E,TK13A60U，

IGBT/MOSFET驱动光耦

对于现代常规功率MOSFET，电路很难产生如此之高的dv/dt。如果体二极管导通后反向关断，将产生极高的电压变化率(dv/dt)，这可能会造成寄生BJT开启。高dv/dt会在器件体区产生高的少数载流子(正载流子或者空穴)电流密度，体电阻上所积累的电压足以开启寄生BJT。这也是为什么器件会对整流(体二极管反向恢复)dv/dt峰值作限制的原因。由于降低了少数载流子寿命，FREDFET器件整流dv/dt峰值要高于MOSFET器件。开关速度由于电容不受温度的影响，因此开关速度和开关损耗也同样不受温度影响。然而，二极管反向恢复电流却随着温度提高而增大，因此，温度效应会对大功率电路中的外部二极管(可以是分立二极管和MOSFET或者FREDFET体二极管)造成影响，从而影响开关损耗。阈值电压阈值电压，即VGS(th)，表示晶体管关断时的电压。该参数表示在阈值电压下，漏极电流可以达到多少毫安培，因此，器件工作在开与关的临界状态。阈值电压具有负温度系数，这意味着随着温度升高，阈值电压将降低。负温度系数会影响开关延时时间，因此电桥电路对于死时间有要求。传输特性图5为APT50M75B2LLMOSFET的传输特性。传输特性依赖于温度和漏极电流。从中可以发现，100安培以下，栅-源电压是负温度系数(给定漏极电流，随着温度升高，栅-源电压降低)。而在100安培以上，温度系数为正。栅-源电压温度系数和漏极电流何时从负值变为正值对于线性区操作十分重要。击穿电压击穿电压具有正的温度系数，我们将在后面的章节讨论。