2N7002A-7
商品详情
制造商: | Diodes Incorporated | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 | |
晶体管极性: | N-Channel | |
通道数量: | 1 Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | |
Id-连续漏极电流: | 220 mA | |
Rds On-漏源导通电阻: | 6 Ohms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V | |
Qg-栅极电荷: | - | |
最小工作温度: | - 55 C | |
最大工作温度: | + 150 C | |
Pd-功率耗散: | 540 mW | |
通道模式: | Enhancement | |
封装: | Reel | |
封装: | Cut Tape | |
封装: | MouseReel | |
商标: | Diodes Incorporated | |
配置: | Single | |
正向跨导 - 最小值: | 80 mS | |
高度: | 1 mm | |
长度: | 2.9 mm | |
产品: | MOSFET Small Signal | |
产品类型: | MOSFET | |
系列: | 2N7002 | |
工厂包装数量: | 3000 | |
子类别: | MOSFETs | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 33 ns | |
典型接通延迟时间: | 10 ns | |
宽度: | 1.3 mm | |
单位重量: | 8 mg |