2N7002E-T1-E3
商品详情
制造商: | Vishay |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 详细信息 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-23-3 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 60 V |
Id-连续漏极电流: | 240 mA |
Rds On-漏源导通电阻: | 3 Ohms |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
Qg-栅极电荷: | 600 pC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 350 mW |
通道模式: | Enhancement |
封装: | Reel |
封装: | Cut Tape |
封装: | MouseReel |
商标: | Vishay / Siliconix |
配置: | Single |
正向跨导 - 最小值: | 600 mS |
产品类型: | MOSFET |
系列: | 2N7002E |
工厂包装数量: | 3000 |
子类别: | MOSFETs |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
典型关闭延迟时间: | 18 ns |
典型接通延迟时间: | 13 ns |
零件号别名: | 2N7002E-E3 |
单位重量: | 8 mg |