制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 110 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 200 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 15.65 mm  

长度: 10 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.4 mm  

商标: Infineon / IR  

下降时间: 65 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 101 ns  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 50 ns  

典型接通延迟时间: 14 ns  

单位重量: 6 g