制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 9.1 A

Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 16.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 39 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 2.3 mm  

长度: 6.5 mm  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: HEXFET Power MOSFET  

宽度: 6.22 mm  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 23 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 23 ns  

工厂包装数量: 2000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 32 ns  

典型接通延迟时间: 4.5 ns  

零件号别名: SP001566944  

单位重量: 4 g