制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSONP-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 76 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

Qg-栅极电荷: 7.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 125 C

Pd-功率耗散: 69 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.9 mm  

长度: 3.15 mm  

系列: CSD25402Q3A  

晶体管类型: 1 P-Channel Power MOSFET  

宽度: 3 mm  

商标: Texas Instruments  

下降时间: 12 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 7 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 25 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns