制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: ES6-6

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 3.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 154 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

Qg-栅极电荷: 10.4 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)

配置: Single

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.55 mm  

长度: 1.6 mm  

系列: SSM6J213  

晶体管类型: 1 P-Channel  

宽度: 1.2 mm  

商标: Toshiba  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 4000  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 36 mg