类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单制造商Infineon Technologies系列HEXFET®包装 管件 零件状态在售FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）60V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 150µA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）170nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）6540pF @ 50VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）300W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3 毫欧 @ 75A，10V工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB封装/外壳TO-220-3