硅四象限探测器(波长400-1100nm):
主要应用:太阳能跟踪器,激光制导,光电对中,激光测量等。 型号 | 受光面积 | 间隙尺寸 um | 响应波段nm | 芯片 | 封装 | 尺寸 mm | 面积 mm2? | DP3.22-6 | TO5 | 1.4x2.3 | 3.22 | 50 | 400-1100 | QP1-6 | TO5 | Φ1.13 | 1.00 | 16 | 400-1100 | QP2-6 | TO5 | Φ1.60 | 2.00 | 20 | 400-1100 | QP5-6 | TO5 | Φ2.52 | 5.00 | 24 | 400-1100 | QP5.8-6 | TO5 | 2.40x2.40 | 5.80 | 50 | 400-1100 | QP10-6 | TO8S | Φ3.57 | 10.00 | 28 | 400-1100 | QP20-6 | TO8S | Φ5.05 | 20.00 | 34 | 400-1100 | QP50-6 | TO8S | Φ7.80 | 50.00 | 42 | 400-1100 | QP100-6 | U1 | Φ11.20 | 100.00 | 50 | 400-1100 | TQD586T5 | TO5 | 2.4 x 2.4 | 5.76 | 50 | 350-1100 | QP154-Q | TO1032 | Φ14.0 | 154.00 | 100 | 850-1100 | QP50-Q | TO1032 | Φ7.98 | 50 | 70 | 850-1100 | PDA33 | U1 | 6x6 | 36 | 100 | 400-1100 | PDA43 | U1 | 8.6x8.6 | 73.96 | 100 | 400-1100 |
InGaAs四象限探测器(波长800-1700nm) 型号 | 受光面积直径 | 象限缝隙 | 灵敏度1310nm | 灵敏度 1550nm | 暗电流 | 结电容 | 上升时间 | 串扰 | 反偏电压 | Q1000 | 1000μm | 0.045 mm | 0.9 A/W | 0.95 A/W | 0.5 nA Vr = 5.0V | 25 pF | 3ns Vr = 5.0V | 1 max λ =1550nm Vr=5.0V | 15 V max | Q3000 | 3000μm | 0.045 mm | 0.9 A/W | 0.95 A/W | 2 nA Vr = 5.0V | 225 pF | 24 ns Vr = 5.0V | 1 max λ =1550nm Vr=5.0V | 10 V max |
Series Q: 1064 nm YAG 增强四象限探测器 型号 | 受光面积 | 间隙 μm | 暗电流 nA @ 150V, 23°C | 上升时间 ns @ 150V, 1064nm | | QP100-Q-SM | 10.0 x 10.0 | 100 | 50 | 20 | 6 | QP154-Q-TO1032 | ?14.0 | 154 | 100 | 20 | 6 |
APD 四象限探测器 型号 | 受光面积 | 间隙 μm | 暗电流 nA @ M=100, 23°C | 上升时间 ns @ 150V, 1064nm | | QA4000-9 | Ø4(12.56) | 110 | 4 | 2 | 6 | QA4000-10 | Ø4(12.56) | 154 | 6 | 6 | 6 | IGQ1000-SPB | Ø1(7.85) | 100 | 6 | 10 | 10 |
通孔四象限探测器 型号:OSQ16-THD,波长:400-1100nm,受光面积和通孔直径可选, 另有内置放大电路四象限探测器,自然光敏感四象限探测器,紫外光敏感四象限探测器,宽温度范围四象限探测系列,四象限探测器应用电路板等, 四象限探测器模块系列 型号:OSQ16-SD2 型号:OSQ50-SD2 n 型号:OSQ20-SD2 型号:OSQ100-SD2 四象限放大模块OSM50-IT (InGaAs APD四象限放大板,兼容连续光和脉冲光探测) |