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    IC37首页 > 元器件 > 传感器 > EUDYNA

    EUDYNA

    公司名称：
    商斯达(香港深圳北京上海西安)有限公司
    发货地点：
    广东省/深圳
    产品类别：
    传感器
    更新时间：
    2016-05-31

    商品详情

                                                 Sumitomo/Eudyna/FUJITSU

    FUJITSU富士通已经与SUMITOMO住友电气工业达成成立一间专注于化合物半导体业务的合资企业优迪那半导体有限公司EUDYNA的决议。 这份决议将整和以及巩固富士通旗下的全资子公司富士通量子器件株式会社与住友电气工业两家公司的化合物半导体电子器件业务。富士通与住友电气工业将各占这间合资企业50％的股份。 
    这间新的合资公司优迪那半导体有限公司将专注于研究开发, 制造和销售覆盖各种用途的化合物半导体器件, 并致力于成长为这个领域科技发展的领导者, 以迅速地建立全球客户的信任.
                   Optical Semiconductors 
                   激光二极管模块 
                   光电二极管探测器与光接收器模块 
                   光收发器模块
                   可视激光二极管
                   微波器件

    Sumitomo 住友电气工业设计、生产并销售基于GaAs技术制成的组件、集成电路和模块产品。电子设备部门（EDD）专注于Ⅲ－Ⅳ组件产业，供应先进和优良的产品，用于光纤通讯系统的前端模拟电路，并可提供给客户多样化的标准产品。现今，本公司已可提供10Gb/s SONET/SDH/ATM的丰富产品系列；而基于InP的40Gb/s IC也在迅速发展中，很快也将被列入我们的产品系列之中。本公司生产无线及光纤产品，以及专注于包含了epitaxial water process技术的行动／无线基站经营，顾客可选择采用以离子注入（Ion-implantation）及Epitaxial组件技术为本的多种GaAs MESFET 制作法.
            光纤产品GaAs IC 
                   F01 Series 前置放大器IC  
                   F03 Series 限制放大器IC  
                   F05 Series LD驱动IC  
                   F06 Series LED驱动IC  
                  F08 Series PD/APD前置放大器模
            无线产品GaAs IC 
                  P01 Series 中等功率FET  
                  P04 Series PDC/GSM/AMPS基站/推进器  
                  P05 Series PHS基站  
                  P06 Series CDMA/PCS基站 

    砷化镓FET芯片和HEMT芯片 
    --通用砷化镓场效应晶体管(FET)芯片 
    --低噪音高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片 
    　
    超低噪音已封装HEMT 
    --超低噪音已封装高电子迁移率晶体管(HEMT) 
    　
    分立砷化镓FET 
    --通用砷化镓场效应晶体管(FET) 
    --移动通信用L波段高功率砷化镓场效应晶体管(FET) 
    --通用功率砷化镓场效应晶体管(FET)芯片 
    　
    内部匹配型功率FET 
    --低失真内部匹配型砷化镓场效应晶体管(FET) 
    　
    砷化镓MMIC 
    --移动通信用单片微波集成电路(MMIC)驱动放大器 
    　
    --14GHz波段VSAT用单片微波集成电路(MMIC)功率放大器 
    --准毫米波单片微波集成电路(MMIC) 
    --直播卫星(DBS)用单片微波集成电路(MMIC) 
    --砷化镓微波分频器(Prescalar)集成电路 
    　
    GaAs FET Chips and HEMT Chips 
    GaAs FET Chips for General Purpose Applications
    Part Number
    Output Power at 1dB G.C.P 
    P 1dB (typ) 
    (dBm)
    Power Gain at 1dB G.C.P 
    G 1dB (typ) 
    (dB)
    Power-added Efficiency 
    η add (typ) 
    (%)
    frequency 
    f 
    (GHz)
    Drain Source Voltage 
    V DS 
    (V)
    Drain Source Current 
    I DS 
    (mA)
    Chip Type
    Frequency Band
    FLC087XP
    28.5
    7.0
    31.5
    8.0
    10
    180
    XP
    C
    FLC157XP
    31.5
    6.0
    29.5
    8.0
    10
    360
    XP
    FLC307XP
    34.8
    9.5
    37.0
    4.0
    10
    720
    XP
    FSX017X
    21.5
    11.0
    42.0
    8.0
    8
    38
    X
    X
    FSX027X
    24.5
    10.0
    41.0
    8.0
    8
    77
    X
    FLX257XV
    33.5
    7.5
    31.0
    10.0
    10
    600
    XV
    FLK017XP
    20.5
    8.0
    26.0
    14.5
    10
    36
    XP
    Ku
    FLK027XV *
    24.0
    7.0
    32.0
    14.5
    10
    60
    XP/XV
    FLK057XV
    27.0
    7.0
    32.0
    14.5
    10
    120
    XV
    FLK107XV
    30.0
    6.5
    31.0
    14.5
    10
    240
    XV
    FLK207XV
    32.5
    6.0
    27.0
    14.5
    10
    480
    XV
    XConventional 
    XPPlated Heat Sink 
    XVVia Hole PHS 
    　
    * : XP also available 　
    　
    　
    HEMT Chips for Low Noise Applications 
    Part Number
    Noise Figure 
    NF (typ) 
    (dB)
    Associated Gain 
    Gas (typ) 
    (dB)
    frequency 
    f 
    (GHz)
    Drain Source Voltage 
    V DS 
    (V)
    Drain Source Current 
    I DS 
    (mA)
    Frequency Band
    FHX04X
    0.75
    10.5
    12.0
    2
    10
    X/Ku
    FHX05X
    0.9
    10.5
    12.0
    2
    10
    FHX06X
    1.10
    10.5
    12.0
    2
    10
    FHX13X
    0.45
    13.0
    12.0
    2
    10
    FHX14X
    0.55
    13.0
    12.0
    2
    10
    FHX35X
    1.20
    10.0
    12.0
    3
    10
    FHX45X
    0.55
    12.0
    12.0
    2
    10
    FHR02X
    1.0
    9.0
    18.0
    2
    10
    K
    FHR20X
    0.75
    10.0
    18.0
    2
    5
    Super Low Noise Packaged HEMTs 
    Super Low Noise Packaged HEMT (High Electron Mobility Transistor) 
    Part Number
    Noise Figure 
    NF (typ) 
    (dB)
    Associated Gain 
    Gas (typ) 
    (dB)
    frequency 
    f 
    (GHz)
    Drain Source Voltage 
    V DS 
    (V)
    Drain Source Current 
    I DS 
    (mA)
    Package Type
    Frequency Band
    FHC40LG
    0.30
    15.5
    4.0
    2
    10
    LG
    C
    FHX13LG
    0.45
    13.0
    12.0
    2
    10
    LG
    X/Ku
    FHX14LG
    0.55
    13.0
    12.0
    2
    10
    LG
    FHX04LG
    0.75
    10.5
    12.0
    2
    10
    LG
    FHX05LG
    0.90
    10.5
    12.0
    2
    10
    LG
    FHX06LG
    1.10
    10.5
    12.0
    2
    10
    LG
    FHX35LG
    1.20
    10.0
    12.0
    3
    10
    LG
    Tc(op) = +25C, All measurement values are shown as standard values 
    Note: FSU01LG, FSU02LG, and FSX017LG devices are short lead. 
    Discrete GaAs FETs 
    General Purpose GaAs FET 
    Part Number 
    Test Condition1 
    Output power at 
    1dB G.C.P 
    P 1dB 
    (dBm) 
    Power Gain at 
    1dB G.C.P 
    G 1dB 
    (dB) 
    Test Condition2 
    Noise Figure 
    NF 
    Condition2 
    Associated Gain 
    Gas 
    Condition2 
    Package 
    Application 
    FSU01LG
    f=2GHz 
    V DS =6V 
    I DS =40mA 
    20
    19
    f=2GHz 
    V DS =3V 
    I DS =10mA 
    0.55
    18.5
    LG
    Medium Power Amplifier
    FSU02LG
    f=2GHz 
    V DS =6V 
    I DS =80mA 
    23
    17
    f=2GHz 
    V DS =3V 
    I DS =20mA 
    1.5
    17.5
    LG
    FSX027WF
    f=8GHz 
    V DS =8V 
    I DS =77mA 
    24.5
    10
    -
    -
    -
    WF
    FSX017WF
    f=8GHz 
    V DS =8V 
    I DS =39mA 
    21.5
    11
    -
    -
    -
    WF
    FSX56LP
    f=10GHz 
    V DS =3V 
    I DS =30mA 
    15
    6
    -
    -
    -
    LP
    BS Oscillator
    FSX017LG
    f=12GHz 
    V DS =4V 
    I DS =30mA 
    16
    8
    -
    -
    -
    LG
    Medium Power Amplifier
    *1: Internally matched type; *2: Push-pull FET type; *3: Pout; *4: GL (small signal gain); *5: I DS (DC) 
    Note: Tc = +25C. All measurement values are shown as standard values. 
    L-band GaAs-FET for Mobile Communication System
    Part number
    Band

    Output Power at 1dB 
    G.C.P 
    P 1dB 

    Power Gain at 1dB 
    G.C.P 
    G 1dB 
    Power Added Efficiency 
    η add 
    (%)
    frequency 
    f 
    (GHz)
    Drain-Source Voltage 
    V DS 
    (V)
    Drain Current 
    I DS 
    (mA)

    Thermal Resistance 
    (癈/W) 

    package 
    type
    Feature. 
    Application
    FLU10XM
    L
    29.5
    13.5
    47
    2
    10
    180
    25
    XM
    High gain, surface mount package
    FLU17XM
    32.5
    12.5
    46
    2
    360
    15
    FLU35XM
    35.5
    11.5
    46
    2
    720
    7.5
    FLL107ME
    29.5
    13.5
    47
    2.3
    180
    25
    ME
    High gain 
    High Output Amplifier
    FLL177ME
    32.5
    12.5
    46
    2.3
    360
    15
    FLL357ME
    33.5
    11.5
    46
    2.3
    720
    7.5
    FLL57MK
    36
    11.5
    37
    2.3
    990
    6.2
    MK
    FLL120MK
    40
    10.0
    40
    2.3
    2200
    3.3
    FLL200IB-1 *1
    42.5
    13.0
    35
    1.5
    4800
    1.6
    IB
    FLL200IB-2 *1
    42.5
    11.0
    34
    2.3
    4800
    1.6
    FLL200IB-3 *1
    42.5
    11.0
    34
    2.6
    4800
    1.6
    FLL300IL-1
    44.5
    13.0
    45
    0.9
    6000
    1.0
    IL
    FLL300IL-2
    44.5
    12.0
    44
    1.8
    6000
    1.0
    FLL300IL-3
    44.5
    10.0
    42
    2.6
    6000
    1.0
    FLL300IP-4 *2
    44.5
    8.0
    40
    3.6
    6000 *5
    1.0
    IP
    Push-pull type. 
    High gain, high output amplifier
    FLL310IQ-3A *2
    45.0
    9.0
    40
    2.7
    7000
    1.0
    IQ
    FLL400IP-2 *2
    45.5
    10.0
    44
    1.96
    12
    2000 *5
    1.0
    IP
    FLL400IP-3 *2
    45.5
    9.0
    43
    2.5
    2000 *5
    1.0
    FLL600IQ-2 *2
    48
    10.5
    43
    1.96
    4000 *5
    0.8
    IQ
    FLL600IQ-2C *2
    48.0 *3
    12.0 *4
    51
    2.17
    1500 *5
    0.8
    FLL600IQ-3 *2
    48.0
    10.0
    43
    2.7
    4000 *5
    0.8
    FLL800IQ-2C *2
    49.0 *3
    11.0 *4
    50
    2.17
    2000 *5
    0.8
    FLL810IQ-3C *2
    49.0 *3
    12.0 *4
    50
    2.6
    5000
    0.8
    FLL810IQ-4C *2
    49.0 *3
    9.5 *4
    45
    3.6
    5000
    0.8
    FLL1200IU-2 *2
    50.8 *3
    11.0 *4
    44
    1.96
    5000
    0.6
    IU
    FLL1200IU-3 *2
    50.8 *3
    11.0 *4
    44
    2.5
    5000
    0.6
    FLL1500IU-2C *2
    51.8 *3
    12.0 *4
    48
    2.17
    4000 *5
    0.55
    FLL2400IU-2C *2
    53.8 *3
    11.5 *4
    -
    2.17
    6000 *5
    0.45
    *1 : Input Matched 
    General Purpose Power GaAs-FET 
    Part Number
    Output Power at 1dB G.C.P 
    P 1dB (typ) 
    (dBm)
    Power Gain at 1dB G.C.P 
    G 1dB (typ) 
    (dB)
    Power-added Efficiency 
    η add (typ) 
    (%)
    frequency 
    f 
    (GHz)
    Drain Source Voltage 
    V DS 
    (V)
    Drain Source Current 
    I DS 
    (mA)
    Thermal Resistance 
    R th (typ) 
    (癈/W)
    Package Type
    Frequency Band
    FLC057WG
    27.0
    9.0
    38.0
    8.0
    10
    120
    27
    WG
    C
    FLC097WF
    28.8
    8.5
    35.0
    6.0
    10
    180
    25
    WF
    FLC107WG
    30.0
    8.0
    36.0
    8.0
    10
    240
    16
    WG
    FLC167WF
    31.8
    7.5
    35.0
    6.0
    10
    360
    15
    WF
    FLC257MH-6 *1
    34.0
    9.0
    36.0
    6.4
    10
    600
    8
    MH
    FLC257MH-8 *1
    34.0
    8.0
    35.0
    8.5
    10
    600
    8
    MH
    FLC317MG-4 *1
    34.8
    9.5
    37.0
    4.2
    10
    720
    8
    MG
    FLX107MH-12 *1
    30.0
    7.5
    33.0
    12.5
    10
    240
    15
    MH
    X
    FLX207MH-12 *1
    32.5
    7.0
    28.0
    12.5
    10
    480
    10
    MH
    FLK017WF
    20.5
    7.5
    26.0
    14.5
    10
    36
    65
    WF
    Ku
    FLK027WG
    24.0
    7.0
    32.0
    14.5
    10
    60
    40
    WG
    FLK057WG
    27.0
    7.0
    32.0
    14.5
    10
    120
    20
    WG
    FLK107MH-14 *1
    30.0
    6.5
    31.0
    14.5
    10
    240
    15
    MH
    FLK207MH-14 *1
    32.5
    6.0
    27.0
    14.5
    10
    480
    10
    MH
    Low Distortion Internally Matched GaAs-FET Characteristics 
    Part Number 
    Band 
    3rd Order Inter-modulation Distortion 
    IM3 
    (dBc) 
    Output Power at 1dB G.C.P 
    P 1dB 
    (dBm) 
    Power Gain at 1dB G.C.P 
    G 1dB 
    (dB) 
    Power added Efficiency 
    Frequency 
    f 
    (GHz) 
    Drain-Source Voltage 
    V DS (V) 
    Drain Current 
    I DS (mA) 
    Thermal Resistance 
    (癈/W) 
    Package 
    Special Application 
    FLM3135-4F 
    FLM3135-8F 
    FLM3135-12F 
    FLM3135-18F
    S
    -45 
    -45 
    -45 
    -45
    36.5 
    39.5 
    41.5 
    43
    12 
    11 
    11.5 
    10.5
    38 
    37 
    40 
    37
    3.1~3.5 
    3.1~3.5 
    3.1~3.5 
    3.1~3.5
    10
    1100 
    2200 
    3400 
    4800
    5 
    3 
    2.3 
    1.6
    IB 
    IB 
    IK 
    IK
    High output amplifier 

    Impedance matched = 50Ω 

    External circuit not required 

    Each is designed for standard communication frequency band
    FLM3439-4F 
    FLM3439-8F 
    FLM3439-12F 
    FLM3439-18F 
    FLM3439-25F
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -46
    36.5 
    39.5 
    41.5 
    43 
    44.5
    12 
    11 
    11.5 
    10.5 
    10.5
    38 
    37 
    40 
    37 
    41
    3.4~3.9 
    3.4~3.9 
    3.4~3.9 
    3.4~3.9 
    3.4~3.9 
    1100 
    2200 
    3400 
    4800 
    6800
    5 
    3 
    2.3 
    1.6 
    1.4
    IB 
    IB 
    IK 
    IK 
    IK
    FLM3742-4F 
    FLM3742-8F 
    FLM3742-12F 
    FLM3742-18F 
    FLM3742-25F
    C
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -46
    36.5 
    39.5 
    41.5 
    43 
    44.5
    12 
    11 
    11.5 
    10.5 
    10.5
    38 
    37 
    40 
    37 
    41
    3.7~4.2 
    3.7~4.2 
    3.7~4.2 
    3.7~4.2 
    3.7~4.2 
    1100 
    2200 
    3250 
    4800 
    6200
    5 
    3 
    2.3 
    1.6 
    1.4
    IB 
    IB 
    IK 
    IK 
    IK
    FLM4450-4F 
    FLM4450-8F 
    FLM4450-12F 
    FLM4450-18F 
    FLM4450-25F
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -46
    36.5 
    39.5 
    41.5 
    43 
    44.5
    11 
    10 
    10.5 
    9.5 
    9.5
    37 
    36 
    39 
    36 
    40
    4.4~5.0 
    4.4~5.0 
    4.4~5.0 
    4.4~5.0 
    4.4~5.0
    1100 
    2200 
    3250 
    4800 
    6200
    5 
    3 
    2.3 
    1.6 
    1.4
    IB 
    IB 
    IK 
    IK 
    IK
    FLM5359-4F 
    FLM5359-8F 
    FLM5359-12F 
    FLM5359-18F 
    FLM5359-25F
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -46
    36.5 
    39.5 
    41.5 
    43 
    44.5
    10.5 
    9.5 
    9.5 
    8.5 
    8.5
    37 
    36 
    38 
    35 
    39
    5.3~5.9 
    5.3~5.9 
    5.3~5.9 
    5.3~5.9 
    5.3~5.9
    1100 
    2200 
    3250 
    4800 
    6200 
    5 
    3 
    2.3 
    1.6 
    1.4
    IB 
    IB 
    IK 
    IK 
    IK
    FLM5964-4F 
    FLM5964-6F 
    FLM5964-8F 
    FLM5964-12F 
    FLM5964-18F 
    FLM5964-25F
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -46
    36.5 
    38.5 
    39.5 
    41.5 
    43 
    44.5
    10 
    10 
    10 
    10 
    10 
    10
    37 
    37 
    37 
    37 
    37 
    37
    5.9~6.4 
    5.9~6.4 
    5.9~6.4 
    5.9~6.4 
    5.9~6.4 
    5.9~6.4
    1100 
    1625 
    2200 
    3250 
    4875 
    6500
    5 
    4 
    3 
    2.3 
    1.6 
    1.4
    IB 
    IB 
    IB 
    IK 
    IK 
    IK
    FLM5972-8F
    -45
    39.0
    8.5
    31
    5.9~7.2
    2200
    3.0
    IB
    FLM6472-4F 
    FLM6472-6F 
    FLM6472-8F 
    FLM6472-12F 
    FLM6472-18F 
    FLM6472-25F
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -46
    36.5 
    38.5 
    39.5 
    41.5 
    43 
    44.5
    9.5 
    9.5 
    9.5 
    9.5 
    9.5 
    9.5
    36 
    37 
    36 
    37 
    37 
    38
    6.4~7.2 
    6.4~7.2 
    6.4~7.2 
    6.4~7.2 
    6.4~7.2 
    6.4~7.2
    1100 
    1625 
    2200 
    3250 
    4875 
    6500
    5 
    4 
    3 
    2.3 
    1.6 
    1.4
    IB 
    IB 
    IB 
    IK 
    IK 
    IK
    FLM7179-4F 
    FLM7179-6F 
    FLM7179-8F 
    FLM7179-12F 
    FLM7179-18F
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -46
    36.5 
    38.5 
    39.5 
    41.5 
    42.5
    9 
    9 
    9 
    9 
    8
    35 
    34 
    35 
    38 
    30
    7.1~7.9 
    7.1~7.9 
    7.1~7.9 
    7.1~7.9 
    7.1~7.9
    1100 
    1625 
    2200 
    3250 
    4875
    5 
    4 
    3 
    2.3 
    1.6
    IB 
    IB 
    IB 
    IK 
    IK
    FLM7185-6F 
    FLM7185-12F
    -45 
    -45
    38.0 
    41.0
    8 
    8
    30 
    30
    7.1~8.5 
    7.1~8.5
    1625 
    3500
    4 
    2.3
    IB 
    IK
    FLM7785-4F 
    FLM7785-6F 
    FLM7785-8F 
    FLM7785-12F
    -46 
    -46 
    -46 
    -46
    36.5 
    38.5 
    39.5 
    41.5
    8.5 
    8.5 
    8.5 
    8.5
    35 
    31 
    34 
    34
    7.7~8.5 
    7.7~8.5 
    7.7~8.5 
    7.7~8.5
    1100 
    1755 
    2200 
    3500
    5 
    4 
    3 
    2.3
    IB 
    IB 
    IB 
    IK
    FLM8596-4F 
    FLM8596-8F 
    FLM8596-12F
    X, 
    Ku
    -45 
    -45 
    -45
    36.5 
    39.0 
    40.5
    7.5 
    7.5 
    7.5
    29 
    29 
    25
    8.5~9.6 
    8.5~9.6 
    8.5~9.6
    1100 
    2200 
    3600
    5 
    3 
    2.3
    IA 
    IB 
    IB
    FLM0910-3F 
    FLM0910-4F 
    FLM0910-8F
    -46 
    -46 
    -46
    35 
    36 
    39
    7.5 
    7.5 
    7.5
    29 
    29 
    29
    9.5~10.5 
    9.5~10.5 
    9.5~10.5
    900 
    1100 
    2200
    5 
    5 
    3
    IA 
    IA 
    IB
    FLM1011-3F 
    FLM1011-4F 
    FLM1011-6F 
    FLM1011-8F 
    FLM1011-12F
    -46 
    -46 
    -45 
    -46 
    -45
    35 
    36 
    37.5 
    39 
    40.5
    7.5 
    7 
    7.5 
    7 
    6
    29 
    29 
    28 
    29 
    25
    10.7~11.7 
    10.7~11.7 
    10.7~11.7 
    10.7~11.7 
    10.7~11.7
    900 
    1100 
    1800 
    2200 
    3600
    5 
    5 
    4 
    3 
    2.3
    IA 
    IA 
    IA 
    IB 
    IB
    FLM1213-4F 
    FLM1213-6F 
    FLM1213-8F 
    FLM1213-12F
    -46 
    -45 
    -46 
    -45
    36 
    37.5 
    39 
    40.5
    6.5 
    7 
    6.5 
    5.5
    28 
    27 
    28 
    24
    12.7~13.2 
    12.7~13.2 
    12.7~13.2 
    12.7~13.2
    1100 
    1800 
    2200 
    3600
    5 
    4 
    3 
    2.3
    IA 
    IA 
    IA 
    IB
    FLM1314-3F 
    FLM1314-6F
    -45 
    -45
    35 
    37.5
    5.5 
    5.5
    25 
    22
    13.75~14.5 
    13.75~14.5
    900 
    1800
    5 
    4
    IA 
    IA
    FLM1414-3F 
    FLM1414-4F 
    FLM1414-6F 
    FLM1414-8F 
    FLM1414-12F
    -46 
    -46 
    -46 
    -46 
    -
    35 
    36 
    37.5 
    39 
    40.5
    6.5 
    6 
    6.5 
    6 
    5
    27 
    27 
    24 
    27 
    23
    14.0~14.5 
    14.0~14.5 
    14.0~14.5 
    14.0~14.5 
    14.0~14.5
    900 
    1100 
    1800 
    2200 
    3600
    5 
    5 
    4 
    3 
    2.3
    IA 
    IA 
    IA 
    IA 
    IB
    FLM1415-3F 
    FLM1415-6F
    -45 
    -45
    34.5 
    37
    5.5 
    5.5
    23 
    20
    14.5~15.3 
    14.5~15.3
    900 
    1800
    5 
    4
    IA 
    IA
    Note: Tc= +25C. All measurement values are shown as standard values. 
    Driver Amplifier MMIC for Mobile Communication 
    Part Number 
    frequecy 
    f 
    GHz 
    Output power at 1dB G.C.P 
    P 1dB 
    dBm (typ.) 
    small signal gain 
    G 
    dB 
    Gain Flatness 
    ΔG 
    dB (typ.) 
    DC Input Current 
    I DD / I GG 
    mA 
    Feature 
    FMM5027VJ
    0.8~3.0
    26
    19
    2
    220/2
    broad band, high output
    FMM5046VF
    2.2
    36
    30
    -
    1700/35
    high output
    FMM5049VT
    2.2
    41 *1 
    33
    -
    2500/7
    high output
    Note *1 : Pout; 
    Power Amplifier MMIC for 14GHz Band VSAT 
    Part Number 
    frequecy 
    f 
    GHz 
    Output power at 1dB G.C.P 
    P 1dB 
    dBm (typ.) 
    Linear Gain 
    G 
    dB (typ.) 
    Gain Flatness 
    ΔG 
    dB (typ.) 
    FMM5010VF
    14.0~14.5
    21
    25
    1.0
    FMM5017VF
    14.0~14.5
    29
    20
    1.0
    FMM5007VF
    14.0~14.5
    31
    20
    1.0
    FMM5522GJ
    14.0~14.5
    35
    26 *1 
    2.0 *3 
    FMM5051VF
    13.75~14.5
    31.5 *2 
    31.5
    1.5
    FMM5048GJ
    13.75~14.5
    36
    26 *1 
    3.0 *3 
    *1 : G1dB;   *2 : Pout (Pin=3dBm);   *3 : Maximum; 
    Quasi Millimeter-Wave MMIC 
    Power Amplifier MMIC for VSAT Characteristics
    Type
    Frequency Range 
    (GHz) 
    　
    Drain Voltage 
    V DD (V)
    Output Power at 1dB G.C.P 
    P1dB (dBm)
    Power Gain at 1dB G.C.P 
    G1dB (dB)
    Power Added Efficiency 
    η add (%)
    FMM5802X
    27.5~31.5
    6
    25.5
    9
    20
    FMM5803X
    27.5~30.0
    30 *2
    14
    20 *2
    30.0~31.5
    12
    FMM5804X
    17.5~30.0
    25
    18
    18
    30.0~31.5
    23
    FMM5805X
    17.5~20.0
    31
    21
    30
    FMM5806X
    24.0~27.0
    26
    9.5
    25
    FMM5807X
    21.0~24.0
    29
    14 *1
    20 *1
    24.0~27.0
    30
    FMM5815X
    17.5~20.0
    31
    21
    30 *3
    FMM5816X
    37.0~42.0
    25
    14
    20
    *1: f=21.0~24.0GHz (typ.),  *2: f=27.5~31.5GHz (typ.),  *3: ηadd at P1dB 
    (All characteristic are typical value) 
    　
    Quasi Millimeter-wave Power Amplifier (Package) Characteristics 
    Type
    Frequency Range 
    (GHz) 
    　
    Drain Voltage 
    V DD (V)
    Output Power at 1dB G.C.P 
    P1dB (dBm)
    Power Gain at 1dB G.C.P 
    G1dB (dB)
    Power Added Efficiency 
    η add (%)
    FMM5805GJ-1
    17.7~19.7
    6
    31
    20
    27
    FMM5807GJ-1
    21.2~23.6
    29
    13
    18
    FMM5815GJ-1
    17.7~19.7
    31
    20
    25
    FMM5811GJ-1
    17.7~23.6
    24.5
    15
    20
    FMM5815GJ-1
    17.7~19.7
    31
    20
    25
    　
    Quasi Millimeter-wave Low Noise Amplifier Characteristics 
    Type
    Frequency Range 
    (GHz)
    Drain Voltage 
    VDD (V)
    Noise Figure 
    NF (dB)
    Associated Gain 
    Gas (dB)
    Chip Size 
    (mm)
    FMM5701X
    18~28
    5
    1.5 *1
    13.5 *1
    0.45 x 0.52
    FMM5702X
    27~32
    4
    1.6 *2
    13 *2
    0.96 x 0.96
    FMM5703X
    24~32
    3
    2 *3
    18 *3
    1.56 x 1.16
    FMM5704X
    36~40
    3
    2 *4
    18 *4
    1.46 x 1.06
    　
    K~Ka Band Converter MMIC (Chip) Characteristics 
    Type
    Usable Frequency Range 
    (GHz)
    Conversion Gain 
    (dB)
    Associated Current 
    (mA)
    Features
    FMM5116X
    20~32
    -8
    140
    Built-in frequency multiplier 
    (times 2)
    FMM5117X
    -10
    MMIC for DBS (Direct Broadcast Satellite) 
    Down Converter MMIC for DBS 
    FMM5107ML
    　
    FMM5107MLT4E1
    Single Oscillator MMIC for DBS 
    FMM5202ML
    Dual Oscillator MMIC for DBS 
    FMM5201ML
    　
    FMM5201MLT4E1 
    GaAs Microwave Frequency Divider (Prescalar) IC 
    Part Number 
    Power Supply 
    Current (typ.) 
    I SS (mA) 
    Operating Frequency Range 
    f 
    (GHz) 
    Supply Voltage 
    V DD (typ.) 
    (V) 
    Power Output 
    Po (typ.) 
    (dBm) 
    Ambient Temp. Range 
    (癈) 
    Package 
    FMM1061VJ * 
    120
    2~6
    5
    4
    -30 ~ +70
    VJ
    FMM1062ML * 
    20
    2~6
    3
    -4
    -40 ~ +85
    ML
    FMM106HG
    140
    2~6.5
    5
    4
    -55 ~ +85
    HG
    FMM1103VJ * 
    90
    2~12
    5
    8
    -40 ~ +85
    VJ
    Note * : Part are available in Tape and Reel. 

    　

    供应商信息

    • 公司：商斯达(香港深圳北京上海西安)有限公司
    • 联系人：销售部(香港深圳北京上海西安成都武汉等设分公司特价连锁经营）
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