欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
IC37首页 > 元器件 > 传感器 > SIRENZA前身为美国Stanford公司,其产品包括:增益模块、低噪声放大器

SIRENZA前身为美国Stanford公司,其产品包括:增益模块、低噪声放大器

公司名称:
商斯达(香港深圳北京上海西安)有限公司
发货地点:
广东省/深圳
产品类别:
传感器
更新时间:
2016-05-30

商品详情

前身为美国Stanford公司,其产品包括:增益模块、低噪声放大器中功率放大器、功率晶体管、低噪声晶体管中功率晶体管微波光电部全方位提供各类国外先进的微波产品,从半导体元器件到系统,从无源器件到有源器件,从电缆到波导产品,从微波到毫米波产品,可以满足用户不同的需求。为了适应新形势的要求,同时随着进出口业务的简化,为了更好地服务新老客户,商运达微波光电部以全新的理念和方法满足用户要求。为了达到此目的,我们的主要做法就是尽可能多地代理国外公司的产品,让我们的用户得到与国外客户同等的价格,同样的服务。我们公司的主要利润将不再来自我们的客户,而是来自于供货商。越来越多的国外供货商正在加入我们供货商的行列。
我们的价格:我们独家代理之公司的产品,您的价格就是我们的进价。 
我们的服务:我们独家代理之公司的产品,您得到的是生产厂家直接的服务。 
我们的理念:让越来越多的用户享受与国外客户同等的价格与服务。

 
其前身为美国Stanford公司,其产品包括:增益模块、低噪声放大器中功率放大器、功率晶体管、低噪声晶体管中功率晶体管、收发多功能射频集成电路、Varil的军用及民用压控振荡器、锁相环、功分器、耦合器、宽带混频器等、Xemod LDMOS、功率塻块等(SERENZA详细产品资料/应用资料下载
 

 

Broadband HBT MMICs with high gain and high output for wireless and broadband communications applications. Reduced junction temperatures achieve high MTTF. 
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
DC-5000 
18.7 
33.7 
13.8 
4.8 
4.9 
80.0 
DC-5000 
18.7 
33.5 
14.5 
4.8 
4.9 
80.0 
DC-5000 
19.4 
34.7 
16.9 
4.4 
4.9 
80.0 
DC-5000 
19.3 
34.1 
17.9 
4.5 
4.9 
80.0 
DC-8000 
19.4 
34.0 
19.6 
3.9 
4.9 
80.0 
Typical Performance @ 1950 MHz

  
SGA Series 
Silicon Germanium (SiGe) offers benefits not attainable by conventional silicon bipolar technologies. The SGA product family offers lower power consumption, high output power at high efficiency, high integration levels, at lower costs. 
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
DC-4500 
-1.8 
9.4 
12.7 
4.7 
2.1 
8.0 
DC-5000 
2.3 
14.2 
19.6 
3.0 
2.5 
11.0 
DC-6000 
-3.3 
7.9 
11.5 
3.1 
4.6 
12.0 
DC-4000 
-7.8 
2.6 
15.7 
2.7 
2.8 
8.0 
DC-5000 
7.1 
21.0 
10.5 
4.1 
2.2 
20.0 
DC-5000 
7.5 
20.0 
10.2 
4.3 
2.2 
20.0 
DC-5000 
7.5 
20.2 
14.7 
3.2 
2.2 
20.0 
DC-5000 
8.3 
20.0 
15.0 
3.2 
2.2 
20.0 
DC-5000 
8.2 
19.4 
17.5 
2.9 
2.7 
20.0 
DC-5000 
8.5 
20.5 
17.2 
2.9 
2.7 
20.0 
DC-5000 
8.0 
20.1 
20.0 
2.6 
2.7 
20.0 
DC-5000 
8.4 
20.0 
19.8 
2.7 
2.7 
20.0 
DC-5500 
11.6 
26.2 
15.0 
3.6 
2.6 
35.0 
DC-5000 
12.2 
25.5 
14.5 
3.7 
2.6 
35.0 
DC-3500 
11.6 
25.4 
17.5 
2.9 
2.6 
35.0 
DC-5000 
12.3 
24.3 
17.0 
3.2 
2.6 
35.0 
DC-5000 
11.3 
24.0 
21.5 
2.5 
2.9 
35.0 
DC-5000 
12.7 
24.6 
21.0 
2.8 
2.9 
35.0 
DC-5000 
12.9 
24.0 
26.1 
2.3 
3.2 
35.0 
DC-500 
13.5 
25.0 
25.0 
2.5 
3.3 
35.0 
DC-5000 
13.0 
29.7 
10.5 
4.8 
3.2 
45.0 
DC-5000 
14.6 
28.3 
10.0 
4.7 
3.2 
45.0 
DC-3500 
14.2 
29.3 
14.0 
3.4 
3.2 
45.0 
DC-5000 
15.0 
29.1 
13.5 
3.7 
3.2 
45.0 
DC-4000 
14.3 
28.7 
17.5 
2.7 
3.2 
45.0 
DC-4500 
15.3 
28.9 
17.0 
2.9 
3.2 
45.0 
DC-3500 
14.0 
27.0 
19.0 
2.5 
3.2 
45.0 
DC-4500 
15.4 
28.2 
18.5 
2.7 
3.2 
45.0 
DC-2500 
15.0 
27.1 
20.2 
1.9 
3.6 
45.0 
DC-4000 
16.5 
28.6 
17.9 
1.7 
3.6 
45.0 
DC-4500 
16.3 
32.5 
13.3 
4.0 
3.4 
60.0 
DC-5000 
17.0 
31.0 
13.5 
4.1 
3.5 
60.0 
DC-5000 
15.8 
31.8 
13.4 
4.2 
3.5 
60.0 
DC-5000 
17.0 
32.0 
16.6 
3.5 
3.6 
60.0 
DC-4500 
16.3 
31.5 
16.4 
3.3 
3.6 
60.0 
DC-3500 
17.0 
32.0 
18.8 
3.1 
3.5 
60.0 
DC-4000 
16.0 
30.8 
19.7 
2.8 
3.3 
60.0 
DC-4000 
18.1 
31.6 
23.1 
2.5 
3.9 
60.0 
DC-4000 
18.2 
32.9 
24.0 
3.0 
3.9 
60.0 
DC-5500 
18.7 
35.0 
13.6 
3.9 
4.0 
75.0 
DC-5400 
18.1 
34.4 
13.9 
3.7 
4.0 
75.0 
DC-5000 
21.0 
35.3 
15.4 
3.6 
4.9 
80.0 
DC-4500 
20.2 
35.2 
15.5 
3.8 
4.9 
80.0 
DC-4500 
20.2 
35.0 
19.7 
3.0 
5.1 
75.0 
DC-3500 
20.7 
34.0 
20.1 
2.7 
5.1 
75.0 
DC-4000 
21.5 
33.8 
23.8 
2.7 
5.0 
80.0 
DC-3500 
21.5 
32.5 
25.5 
2.5 
4.9 
80.0 
DC-3000 
22.4 
35.5 
21.5 
2.8 
5.0 
115.0 
Typical Performance @ 850 MHz

  
SGB Series 
The SGB product family consists of low cost, high performance SiGe HBT MMIC amplifiers in a Darlington configuration with an active bias network. Each part is designed to run directly from a 5v supply, eliminating the need for a drop resistor. 
  
GHz 
dBm 
IP3 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vs 
V 
Is 
mA 
DC-4.5 
6.7 
19.0 
12.9 
4.2 
3.0 
25 
DC-4.0* 
6.9 
18.0 
17.2 
3.5 
3.0 
25 
DC-3.0 
10.0 
22.5 
14.5 
4.0 
3.0 
56 
DC-3.0 
9.8 
23.5 
18.5 
3.6 
3.0 
56 
DC-3.5 
18.3 
31.5 
16.0 
4.1 
5.0 
88 
DC-3.0 
18.4 
32.0 
18.3 
3.7 
5.0 
88 
Typical Performance @ 1950 MHz
* Usable to 6 GHz with External Match

  
SNA Series 
Sirenza Microdevices SNA series are broadband GaAs HBT (Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor) monolithic microwave integrated circuits (MMICs) housed in low-cost surface-mountable plastic and ceramic packages. These amplifiers provides high output intercept point, high gain, low noise figure and low power consumption 
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
DC-8000 
13.0 
26.0 
12.0 
6.0 
4.0 
50.0 
DC-8000 
13.0 
26.0 
12.5 
6.0 
3.8 
50.0 
DC-6000 
14.0 
27.0 
12.8 
5.5 
4.0 
50.0 
DC-6000 
14.0 
29.0 
15.5 
5.7 
3.8 
50.0 
DC-3000 
10.0 
23.0 
23.0 
4.0 
4.0 
35.0 
DC-3000 
10.0 
23.0 
20.0 
4.0 
3.7 
35.0 
DC-6500 
17.5 
30.9 
13.6 
5.0 
5.0 
65.0 
DC-5000 
18.4 
31.6 
18.1 
4.0 
4.9 
65.0 
DC-6000 
17.7 
32.1 
11.2 
7.3 
5.3 
65.0 
Typical Performance @ 1950 MHz

  
SNA Series 
The SNA product family is also available in chip form in 100 pc gel packs. Their small size and gold metallization make them an ideal choice for use in hybrid circuits. 
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
DC-10000 
13.0 
26.0 
12.0 
5.0 
3.8 
50 
DC-10000 
11.0 
24.0 
12.2 
5.0 
3.6 
40 
DC-6500 
14.0 
27.0 
15.5 
5.5 
3.8 
50 
DC-6500 
12.0 
25.0 
15.0 
5.5 
3.6 
40 
DC-3000 
10.0 
23.0 
22.0 
4.0 
3.7 
35 
DC-8000 
17.5 
30.9 
13.6 
5.0 
4.9 
65 
DC-3000 
18.4 
31.6 
18.1 
4.0 
4.8 
65 
DC-6500 
17.7 
32.1 
11.2 
7.3 
5.4 
65 
Typical Performance @ 1950 MHz
Sirenza Microdevices low cost, SiGe amplifiers provide low noise and low power consumption. These products are suitable for wireless infrastructure equipment and ISM applications. 
  
GHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
SGL-0163 
300-1300 
300-1300 
300-1300 
5.01 
11.51 
5.02 
3.51 
7.81 
6.42 
21.01 
22.11 
15.02 
1.21 
2.01 
1.12 
3.0 
4.0 
3.0 
11.0 
23.0 
11.0 
SGL-0263 
1400-2500 
6.03 
10.63 
11.43 
1.83 
3.0 
11.0 
1 - Performance data @ 433MHz
2 - Performance data @ 900MHz
3 - Performance data @ 2400MHz


  
SLX Series 
Sirenza Microdevices LNA pHEMT module offers high linearity and a very low noise figure. This module is self-biased and operates from a single supply. 
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
SLX-2143 
1700-2200 
20.0 
34.0 
15.0 
1.1 
5.0 
105.0 
STA Series 
Sirenza Microdevices STA-5063 is an InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) amplifier housed in low-cost surface-mount SOT-363 package. This amplifier is specifically designed as a driver amplifier for 5.8 GHz WLAN and ISM applications. On-chip impedance matching provides 50 ohm nominal RF input and output 
  
GHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
STA-5063 
4.8-6.2 
15.0 
27.01 
14.0 
8.5 
3.3 
51 
1 - Typical Performance at 5.8 GHz
  
SX Series 
Sirenza Microdevices SX series are GaAs HBT (Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar) amplifiers housed in low-cost surface-mountable packages. These amplifiers provides high gain, high output intercept point, low noise figure and low power consumption. These amplifiers are specially designed for use as driver devices for infrastructure equipment in the 50-2500 MHz cellular, ISM and narrowband PCS bands. Their high linearity performance make them an ideal choice for multi-carrier as well as digital applications. 
  
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
SXA-3318B 
400-2500 
28.0 
47.01 
17.51 
5.51 
5.0 
240 
SXB-4089 
400-2500 
27.5 
45.01 
19.51 
4.81 
5.0 
270 
SXA-389B3 
400-2500 
25.01 
42.01 
18.41 
5.01 
5.0 
120 
SXA-389 
400-2500 
25.01 
42.01 
19.01 
5.51 
5.0 
105 
SXA-289 
5-2000 
24.01 
42.01 
15.5 
5.01 
5.0 
105 
SXT-289 
1800-2500 
22.92 
41.02 
15.12 
5.02 
5.0 
110 
1 - Data measured at 900MHz and is typical of device performance.
2 - Data measured at 2150MHz and is typical of device performance.
3 - SXA-389B and SXA-3318B provide lower thermal resistance.
  

 

SGA Series 
Sirenza Microdevices SGA-8 and SGA-9 series are low-cost, high-performance SiGe HBT transistors that use off-chip matching for maximum flexibility. The SGA-8 series features low noise with NFmin as low as 0.9dB. It also offers high gain and excellent linearity at low DC powers. The SGA-9 series is for higher powered applications with linearity requirements up to +42.0dBm OIP3. 
  
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
DC-6000 
13.0 
28.5 
17.5 
1.1 
3.0 
20.0 
DC-6000 
13.0 
28.5 
17.5 
1.1 
3.0 
20.0 
Data measured at 2GHz and is typical
1 - P1dB and IP3 results specified with the device matched to Zs=Zsopt, Zl=Zlopt
2 - NFopt and Gain are specified Zs=Zsopt, Zl=Zlopt at 3V, 10mA

  
SPF Series 
Sirenza Microdevices SPF series are ultra-low noise Pseudomorphic High Electronic Mobility Transistor (pHEMT) FETs, packaged in low parasitic, plastic surface mountable packages and offered in chip form. The SPF series features low noise figure with NFmin as low as 0.5dB at 2GHz. The ultra-linear performance makes these FETs ideally suited for both LNAs and/or low power driver amps. 
  
  
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
DC-12000 
20.0 
32.0 
17.7 
0.5 
5.0 
40.0 
DC-12000 
20.0 
32.0 
12.2 
0.7 
5.0 
40.0 
DC-6000 
20.0 
32.0 
17.8 
0.4 
5.0 
40.0 
DC-10000 
15.5 
29.0 
18.0 
0.5 
3.0 
20.0 
DC-3500 
15.0 
29.0 
14.5 
0.50 
3.0 
20.0 
DC-3500 
17.7 
31.0 
15.1 
0.58 
5.0 
40.0 
1 - Data measured at 2GHz and is typical.
2 - Data measured at 6GHz and is typical
SGA Series 
Sirenza Microdevices SGA-8 and SGA-9 series are low-cost, high-performance SiGe HBT transistors that use off-chip matching for maximum flexibility. The SGA-8 series features low noise with NFmin as low as 0.9dB. It also offers high gain and excellent linearity at low DC powers. The SGA-9 series is for higher powered applications with linearity requirements up to +42.0dBm OIP3. 
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
DC-3.5 
26.0 
39.0 
20.5 
- 
5.0 
180.0 
DC-3.5 
29.0 
41.5 
20.6 
- 
5.0 
340.0 
1 - Gmax @ 900 MHz
2 - 13.2 dB Gmax @ 1.9 GHz
3 - 13.1 dB Gmax @ 1.9 GHz
  
SHF Series 
Sirenza Microdevices' SHF series are AIGaAs/GaAs FET power amplifiers, packaged in low-cost plastic surface-mountable packages. When properly matched, these transistors provid out power levels from +27dBm at 2 GHz to +33dBm at 3 GHz. With ultra-linear performance, these power FETs are ideal for subscriber products and/or driving higher power amplifiers. 
  
  
  
  
MHz 
dBm 
dBm 
dB 
NF 
dB 
Vd 
V 
Id 
mA 
50-12000 
27.0 
40.0 
18.5 
3.1 
8.0 
100.0 
50-6000 
28.0 
40.0 
18.5 
3.1 
8.0 
100.0 
50-6000 
27.0 
40.0 
18.5 
4.7 
8.0 
100.0 
50-6000 
30.0 
43.0 
19.0 
3.2 
7.0 
200.0 
50-3000 
33.0 
46.0 
16.5 
3.6 
7.0 
345.0 
Typical Performance Data @900 MHz
 

供应商信息

  • 公司:商斯达(香港深圳北京上海西安)有限公司
  • 联系人:销售部(香港深圳北京上海西安成都武汉等设分公司特价连锁经营)
  • 电话:0755-83376489 83778810 83600718
  • 手机:18927445855微信同号
  • 传真:0755-83376182
  • Email:xjr5@163.com
  • QQ:583757894 1295084882
  • 地址:深圳市福田福华路鸿图大厦1602室、2005-2006室;:上海市北京东路668号上海賽格电子市场 : 西安高新开发区20所(导航技术研究所)
 复制成功!