制造商: Fairchild Semiconductor 
产品种类: IGBT 晶体管 
RoHS: 符合RoHS 详细信息 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 
在25 C的连续集电极电流: 30 A 
栅极—射极漏泄电流: 250 uA 
Pd-功率耗散: 104 W 
安装风格: Through Hole 
最大工作温度: + 125 C 
封装: Tube 
商标: Fairchild Semiconductor 
最小工作温度: - 40 C 
系列: SPM3 
工厂包装数量: 60 
单位重量: 21.390 g