制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:符合RoHS 详细信息

Id-连续漏极电流:15.8 A

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.7 V to 3.7 V

Qg-栅极电荷:38 nC

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:130 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

商标:Toshiba

配置:Single

下降时间:5 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:25 ns

系列:DTMOSIV

工厂包装数量:30

商标名:DTMOSIV

典型关闭延迟时间:100 ns

典型接通延迟时间:50 ns