制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:符合RoHS 详细信息

商标:Toshiba

Id-连续漏极电流:13 A

Vds-漏源极击穿电压:- 30 V

Rds On-漏源导通电阻:7 mOhms

晶体管极性:P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.9 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOP-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降时间:93 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:124 ns

工厂包装数量:3000

典型关闭延迟时间:92 ns

典型接通延迟时间:19 ns