为了帮助提高开关电源的效率，东芝TK12A50D MOSFET必须表现出不仅低导通电阻也低电容，这直接关系到最大可能的开关速度。东芝TK12A50D采用先进设备，最先进的工艺制造，在U-MOSVIII-H系列提供低导通电阻比1的M1和开关速度比U-MOSVII-H系列快56％。

Q U型MOSVIII-H O系列的特点制造为具有根8沟槽MOS工艺设计用于各种电源应用Ø导通电阻，RDS（ON），小于1 M1TPHR9003NL：？？？RDS（ON）= 0.77 M1（VGS = 10V，ID = 30 A）O？提供导通电阻和输入电容O之间的显著更好的权衡？提供高雪崩坚固2 O提供各种套餐

？问包的高速MOSFET系列高速MOSFET的主要安置在，适用于空间受限的应用小型表面贴装封装。