东芝TK6A60D具有高速，高性能，低损耗，低导通电阻，小包装等，东芝拥有数十年的经验，在开发和制造的MOSFET东芝TK6A60D。其主要产品有中到高压DTMOSIV系列具有600 V左右VDSS和低电压U-MOSVIII-H系列具有30 V至250 V的VDSS

东芝MOSFET的结构

东芝TK6A60D功率MOSFET使用双扩散MOS（D-MOS）结构，可提供高耐压，以形成通道。这种结构是特别适合于高耐压和大电流的设备。高集成水平产生了高性能功率MOSFET具有低导通电阻和低功耗。

øU型的MOS高等信道密度是通过连接通道垂直，以形成一个U形槽在栅极区域中，能产生一个较低的导通电阻比其他的MOSFET结构的结构来实现的。沟槽结构主要用于相对低VDSS的MOSFET。

øDTMOS超级结结构，其具有P型柱层如左侧所示，实现了高耐压和导通电阻比硅的常规理论极限低。

双扩散结构

沟槽结构

超结结构