东芝光耦合器TLP350推荐应用场合为：变频器/工业逆变器/逆变器的空调IGBT/功率MOSFET栅极驱动IH（感应加热）

东芝TLP350由GaAℓAs发光二极管和集成光电探测器。这个单位是8引脚DIP8/SOP8两种封装。该TLP350适合栅极驱动IGBT或功率MOSFET。

主要技术性能参数如下：

峰值输出电流：IO=±2.5A（最大值）•

性能保证在整个温度范围：-40～100℃•

电源电流：ICC= 2 MA（最大值）•

电源电压：VCC=15 V至30 V•

阈值输入当前：IFLH= 5 MA（最大）•

切换时间（TPLH/的TPH1）：500纳秒（最大值）•

共模瞬变抗扰度：15千伏/μs的•

隔离电压：3750 Vrms的•

UL认证：UL1577，文件No.E67349•

选项（D4）VDE认证：DIN EN60747-5-2

最大工作绝缘电压：890VPK

最高允许过电压：6000VPK

（注）：当需要EN60747-5-2批准类型，请指定D4认证

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