LD6562

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LD6562中文资料

LD6562单级PFC反激电路设计与工作原理,电路结构图。交流电压经过前级保护单元和EMI滤波单元后，由整流桥整其中，Irms为开关MOS管导通时流过电流的有效值。可通过使用导通电阻Rds(on)更小的MOS管来减少损耗。开关损耗是指，在开关过程中，开关管电压Vds和电流Ids发生变化，从“开”到“关”或从“关”到“开”有一个过渡过程，这期间电压Vds和电流Ids存在一个交叠过程，产生较大的损耗即为开关损耗。开关损耗占MOS管损耗的很大一部分。在本电路中，如图2所示，在开关MOS管导通之前，由于次级电流已降为0，初级绕组上的电压由于漏感及MOS管上的寄生电容存在而产生振荡，电压开始时刻已经开始下降，在开关管导通时，电压值已经很小，近似于零电压，因而大大减少了导通损耗，从而提高了效率。有关LD6562代理、LD6562中文资料、LD6562应用电路、LD6562引脚功能、LD6562原理图、LD6562型号封装、LD6562 PDF、LD6562价格、LD6562厂家图片、LD6562现货供应信息，欢迎来电咨询!