供应STD16NE06L
商品详情
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
Id-连续漏极电流:16 A
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:40 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:DPAK-3
商标:STMicroelectronics
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:25 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:45 ns
系列:STD16NE06