特价供应:P25NM60N
商品详情
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:符合RoHS 详细信息
商标:STMicroelectronics
Id-连续漏极电流:21 A
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Rds On-漏源导通电阻:160 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :25 V
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:160 W
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
封装:Tube
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:40 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:30 ns
系列:N-channel MDmesh
工厂包装数量:50
典型关闭延迟时间:50 ns