二极管Diodes

东芝提供广泛的二极管产品组合，包括应用于高速信号线路的高速、低损耗肖特基二极管（SBD）和ESD保护二极管。

我们采用碳化硅（SiC）为原料进行制造，因为SiC SBD能提供高击穿电压，这是使用硅（Si）SBD所不能企及的。所以SiC SBD特别适合于低损耗、高效功率转换的应用，比如服务器电源和太阳能功率调节器。

SiC肖特基势垒二极管

因采用了一个碳化硅（SiC）和宽禁带半导体，SiC肖特基势垒二极管（SBD）能提供使用硅材料肖特基势垒二极管时所无法实现的高击穿电压。作为一个单极器件，SiC SBD具有非常短的反向恢复时间和温度独立的开关特性，这就使它们非常适合替代硅材料快速恢复二极管（FRD）的应用，以提高电源效率。

应用举例:功率因素校正电路、光伏逆变器、不间断电源（UPS）

特点1在正向电流（IF）为4A/mm2和高温区域条件下，SiC SBD产品TRS6E65C的正向电压约比Si FRD产品5JUZ47高出40%。但是，在400V反向电压（VR）的条件下，TRS6E65C比5JUZ47的高温泄漏电流约低97%。

DSF01S30SC

CTS520

CTS521

CTS05S30

CCS15S40

CBS05F30

CBS10S30

CBS10S40

CES520

CES388

CUS521

CUS551V30

CUS05S30

CUS15S30

CUS357

ESD保护用二极管

ESD保护用二极管被设计成能吸收从I/O接口侵入的静电放电(ESD)。东芝ESD保护用二极管可防止静电引起的系统故障与/或对驱动IC造成损害

DF2B6.8SC

DF2B6.8ACT

DF2B6.8AFS

DF2B3.9BCT

DF3A6.8LCT

DF2S6.8FS

DF2S6.8UCT

DF2S24UCT

DF4D6.8UG

DF2S6.8MFS

DF3D6.8MFV

DF3D6.8MS

DF6F6.8MCTC

DF6F6.8MTU

DF4T6.8BG

DF8E7MN

DF2B6.8M2SC

DF3S6.8ECT

DF6D6.8ECTF

DF8G6.8ENU

DF12H6.8ENU

DF16E6.8ENU

开关二极管

通用的开关用二极管被广泛用于小信号切换用途等。封装以小型表面贴装型为中心展开，最适合高密度电子设备。