制造商:Diodes Incorporated

产品种类:MOSFET

RoHS:符合RoHS 详细信息

商标:Diodes Incorporated

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

Id-连续漏极电流:5.1 A

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

配置:Dual Dual Drain

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOIC-8

封装:Reel

通道模式:Enhancement

下降时间:4.6 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:5 ns

工厂包装数量:500

典型关闭延迟时间:25.3 ns