制造商:  ROHM Semiconductor    
 
产品种类:  MOSFET    
 
RoHS:   详细信息   
 
商标:  ROHM Semiconductor   
 
晶体管极性:  N-Channel    
 
Vds-漏源极击穿电压:  20 V    
 
Vgs-栅源极击穿电压 :  8 V    
 
Id-连续漏极电流:  300 mA    
 
Rds On-漏源导通电阻:  1 Ohms    
 
配置:  Single    
 
最大工作温度:  + 150 C    
 
Pd-功率耗散:  150 mW    
 
安装风格:  SMD/SMT    
 
封装 / 箱体:  VMT-3    
 
封装:  Reel    
 
通道模式:  Enhancement   
 
下降时间:  10 ns   
 
最小工作温度:  - 55 C   
 
上升时间:  10 ns   
 
工厂包装数量:  8000   
 
典型关闭延迟时间:  15 ns