制造商:  Infineon    
 
产品种类:  IGBT 模块    
 
RoHS:   详细信息   
 
产品:  IGBT Silicon Modules    
 
配置:  Dual    
 
集电极—发射极最大电压 VCEO:  600 V    
 
集电极—射极饱和电压:  1.95 V    
 
在25 C的连续集电极电流:  230 A    
 
栅极—射极漏泄电流:  400 nA    
 
功率耗散:  445 W    
 
最大工作温度:  + 125 C    
 
封装 / 箱体:  34MM    
 
商标:  Infineon Technologies   
 
栅极/发射极最大电压:  +/- 20 V   
 
最小工作温度:  - 40 C   
 
安装风格:  Screw   
 
产品种类:  IGBT - Standard Modules   
 
工厂包装数量:  500