制造商:  Toshiba    

产品种类:  MOSFET    

RoHS:   详细信息  

晶体管极性:  N-Channel    

汲极/源极击穿电压:  30 V    

闸/源击穿电压:  +/- 20 V    

漏极连续电流:  50 A    

导通电阻:  2.8 mOhms    

配置:  Single Quad Drain Triple Source    

最大工作温度:  + 150 C    

安装风格:  SMD/SMT    

封装 / 箱体:  SOP-8    

封装:  Reel    

商标:  Toshiba  

下降时间:  9.8 ns  

最小工作温度:  - 55 C  

功率耗散:  2.8 W  

产品种类:  MOSFETs - Power & Small Signal  

上升时间:  5 ns  

工厂包装数量:  3000