分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > IPD90R1K2C3
商品详情
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 900 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 5.1 A
导通电阻: 1.2 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 83 W
产品种类: MOSFETs
系列: IPD90R1
工厂包装数量: 2500
商标名: CoolMOS
典型关闭延迟时间: 400 ns

