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Altera推出首个45纳米FPGA。45纳米将继续实现成本和功耗降低、性能提升，但会同时带来设计和工艺挑战，需要FPGA供应商和晶圆代工厂间更紧密的合作。Altera宣称其和台积电（TSMC）这种“1+1排他性合作”模式在45纳米节点显示现更大优势。

　　45nm（1μm=1000nm，1nm为10亿分之一米）不是指的芯片上每个晶体管的大小，也不是指用于蚀刻芯片形成电路时采用的激光光源的波长，而是指芯片上晶体管的栅极宽度，衡量半导体制程的参数很多，比如芯片上晶体管和晶体管之间导线连线的宽度，简称线宽。（此处应为连线的高度，线宽在一个技术时代里（比如45nm工艺）是可以不断缩小的，而线的高度是不变的）。半导体业界也经常用线宽这个工艺尺寸来代表硅芯片生产工艺的水平。早期的连线采用铝，后来很多国外的大公司采用铜导线了。

EP4SGX110DF29C3N IC FPGA 372 I/O 780FBGAEmbedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)Stratix® IV GX

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EP4SGX110DF29C4N IC FPGA 372 I/O 780FBGAEmbedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)Stratix® IV GX

EP4SGX110HF35C4N IC FPGA 488 I/O 1152FBGAEmbedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)Stratix® IV GX

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EP4SGX110DF29C4 IC FPGA 372 I/O 780FBGAEmbedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array)Stratix® IV GX