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数据列表	IRFR/IRFU4620PbF
产品相片
产品培训模块	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
PCN Assembly/Origin	Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
标准包装	3,000
类别	分立式导体产品
家庭	FET - 单
系列	HEXFET®
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源极电压 (Vdss)	200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	24A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）	78 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	1710pF @ 50V
功率 - 最大值	144W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装	D-Pak