7A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF7N65T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用 士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工 艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越 的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PMW 马达驱动。
特点

7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力

命名规则

士兰F-Cell工艺 VDMOS产品标识 额定电流标识,采用1-2位数字； 例如:4 代表 4A,10 代表 10A, 08 代表 0.8A 沟道极性标识，N代表N 沟道

封装外形标识 例如：T:TO-220; F:TO-220F 额定耐压值，采用2位数字 例如：60表示600V,65表示650V 特殊功能、规格标识，通常省略 例如：E 表示内置了ESD保护结构

产品规格分类
产 品 名 称 SVF7N65T SVF7N65F
 封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L
打印名称 SVF7N65T SVF7N65F
材料 无铅
包装 料管
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 SVF7N65F
 士兰微（SL)
SD4844P67K65    SD4843P67K65-DW(A)    SA1117BH-3.3TR     SD4841P67K65     SVD1N60M
SD4870(NEW)-RL    SVD7N60F    SVD12N65F    SFR16S20T    SVD4N65（F）     SVD2N60T
SVD10N65F    SVD4N60F    S20C45K   SVD8N60F    SVD12N65T   SVD7N65AF   SVD7N60T
SVD10N60F   SVD2N65F   SVD5N60F   SVD2N60D    SVD1N60B   SVD4N60D      SVF4N65F
SVF2N65F    SVF4N60F   SVF2N60F    SVD2N60M   SVD12N60F   SVF8N60F      SVF4N60F
SVF7N60F    SVF7N65F   SVD7N60F   SVF4N65M    SVD12N65F    SVD5N60F     SVF7N60F
SVD4N65F   SVD7N65AF   SVF8N60F    SVF2N60F    SVF10N65F   SVD1N60DB-RL  SVF4N65F
SVF10N65F   SVF12N65F   SBD10C100T   SVF5N60F   SVF7N80F    SVF4N80F

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