型号：FGA25N120 晶体管类型:IGBT 集电极直流电流:50A 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V 最大功耗:312W 电压, Vceo:1200V 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-3P SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 上升时间:50ns 功率, Pd:312W 功耗:312W 封装类型:TO-3P 晶体管极性:NPN 最大连续电流, Ic:50A 电压, Vces:1200V 电流, Ic @ Vce饱和:25A 电流, Icm 脉冲:75A 表面安装器件:通孔安装 SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)