S16838-01MS 和 S16838-02MS 是两款 硅光电二极管（Si Photodiode），he心区别在于 光谱响应范围，分别针对 可见光 与 可见光 - 近红外 应用

应用特点

共同优点

超低暗电流：10 pA 级，适合弱光检测与高精度测量。

抗杂光封装：专用模制结构，有效屏蔽侧面 / 背面杂散光，提升信噪比。

线性度好：宽光强范围内输出线性稳定。

小体积、低成本：适合批量与空间受限场景。

S16838-01MS（可见光专用）

波段匹配：响应覆盖蓝光到红光，峰值在560nm（绿光）。

应用场景：

可见光照度计、亮度计

图像扫描、色彩识别

光电编码器、工业计数

医疗血氧检测、反射式光电传感

S16838-02MS（可见光 - 近红外）

波段更宽：延伸至 1100nm，覆盖近红外（NIR）。

速度更快：上升时间仅 0.5μs，适合高速光脉冲检测。

应用场景

红外遥控、红外通信

激光雷达（905nm/940nm）、激光功率监测

光纤传感、近红外光谱分析

火焰检测、气体分析（CO/CO?）

硅光电传感器选型建议

选 S16838-01MS：专注可见光测量、追求人眼视见函数匹配、成本敏感。

选 S16838-02MS：需要近红外响应、高速脉冲、激光 / 红外系统。

型号he心定位

S16838-01MS 为可见光型硅光电二极管，主要用于可见光检测；S16838-02MS 为可见光至红外型，覆盖可见光到近红外波段。

硅光电传感器光电特性

光谱响应范围：S16838-01MS 为 320 纳米至 730 纳米；S16838-02MS 为 320 纳米至 1100 纳米

峰值灵敏度波长：S16838-01MS 为 560 纳米；S16838-02MS 为 960 纳米

光敏面积：两者均为 2.8 毫米乘以 2.4 毫米

辐射灵敏度：S16838-01MS 为 0.3 A/W（在 560 纳米条件下）；S16838-02MS 为 0.58 A/W（在 960 纳米条件下）

暗电流zui大值：两者均为 10 pA（反向电压 1V 条件下）

上升时间：S16838-01MS 为 2.5 微秒（负载电阻 1kΩ 条件下）；S16838-02MS 为 0.5 微秒（负载电阻 1kΩ 条件下）

结电容：S16838-01MS 为 700 pF（反向电压 0V、频率 10kHz 条件下）；S16838-02MS 为 250 pF（反向电压 0V、频率 10kHz 条件下）

并联电阻：两者均为 100 GΩ

极限参数

反向电压zui大值：两者均为 10 V

工作温度：两者均为 -10?C 至 %2B60?C（无结露条件）

存储温度：两者均为 -20?C 至 %2B70?C

硅光电传感器封装与结构

封装类型：预塑封封装，径向引线封装

封装材料：塑料

窗口材料：硅树脂

引脚数：2 引脚

特点：封装侧面及背面可屏蔽杂散光

硅光电传感器典型应用

曝光计、照度计

显示器亮度调节

光电开关、环境光检测

红外检测（02MS 型号专用）