XC7Z010-2CLG400I 规格

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制造商: XILINX

产品种类: SoC FPGA

RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: CSBGA-400

核心: ARM Cortex A9
内核数量: 2 Core
最大时钟频率: 766 MHz
L1缓存指令存储器: 2 x 32 kB
L1缓存数据存储器: 2 x 32 kB
程序存储器大小: -
数据 RAM 大小: -
逻辑元件数量: 28000 LE

自适应逻辑模块 - ALM: 4400 ALM

嵌入式内存: 2.1 Mbit
输入/输出端数量: 100 I/O
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 100 C
商标: AMD / Xilinx
湿度敏感性: Yes
逻辑数组块数量——LAB: 2200 LAB
产品类型: Processors - Application Specialized
系列: XC7Z010
1
子类别: SOC - Systems on a Chip
商标名: Zynq

传统DRAM需要复杂的读写数据操作流程，而3D DRAM可以通过垂直堆叠的存储单元直接存取和写入数据，显著提高了存取速度。3D DRAM的优势不仅包括高容量和快速数据访问，还具有低功耗和高可靠性特点，可以满足各种应用需求。

有机构预测，到2030年，全球3D DRAM市场规模有望增长到1000亿美元。

正是看到了这样的发展前景，以存储芯片三巨头为代表的厂商都在发力，进行相关技术和产品的研发。

如前文所述，三星电子计划在2025年推出3D DRAM的量产产品。在三巨头中，三星是对该技术最为关注的，投入也最大，3D DRAM可以帮助三星在未来的AI芯片市场占据优势地位。而就目前来看，在AI内存市场，特别是HBM产品，SK海力士占据着主导地位，占有全球90%的HBM市场份额。三星要想赶超SK海力士，在HBM阶段恐怕是难以实现了，只能寄希望于3D DRAM或其它更先进的技术方案。

毅创腾新到现货：

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XC7S15-1CSGA225I

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XC7Z020-2CLG400I

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