IPW60R060C7 晶体管 MOSFET
商品详情
IPW60R060C7 详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid IPW60R060C7
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8151580251
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 4 weeks
风险等级 7.54
YTEOL 6.18
雪崩能效等级(Eas) 159 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (ID) 35 A
最大漏源导通电阻 0.06 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 135 A
表面贴装 NO
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON