VND7NV04TR-E 晶体管 MOSFET
商品详情
制造商: | STMicroelectronics | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | DPAK-3 (TO-252-3) | |
晶体管极性: | N-Channel | |
通道数量: | 1 Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 45 V | |
Id-连续漏极电流: | 6 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 60 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | - | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2.5 V | |
Qg-栅极电荷: | 18 nC | |
最小工作温度: | - 55 C | |
最大工作温度: | + 150 C | |
Pd-功率耗散: | 60 W | |
通道模式: | Enhancement | |
资格: | AEC-Q101 | |
系列: | VND7NV04 | |
封装: | Reel | |
封装: | Cut Tape | |
封装: | MouseReel | |
商标: | STMicroelectronics | |
配置: | Single | |
下降时间: | 350 ns | |
正向跨导 - 最小值: | 9 S | |
湿度敏感性: | Yes | |
产品类型: | MOSFET | |
上升时间: | 470 ns | |
工厂包装数量: | 2500 | |
子类别: | MOSFETs | |
类型: | Low Side | |
单位重量: | 330 mg |