IRFB4227PBF 晶体管 MOSFET
商品详情
| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | Through Hole | |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 200 V | |
| Id-连续漏极电流: | 65 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 24 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 30 V, + 30 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V | |
| Qg-栅极电荷: | 70 nC | |
| 最小工作温度: | - 40 C | |
| 最大工作温度: | + 175 C | |
| Pd-功率耗散: | 330 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 封装: | Tube | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 31 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 49 S | |
| 高度: | 15.65 mm | |
| 长度: | 10 mm | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 20 ns | |
| 工厂包装数量: | 1000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 21 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 33 ns | |
| 宽度: | 4.4 mm | |
| 单位重量: | 2 g |
