上海维安长园维安20V-250V沟槽N沟道功率MOSFET20V-250V沟槽N沟道功率MOSFET
商品详情
沟槽MOSFET: 关键特征 高单元密度设计 小型化封装的理想选择 嵌入式G-S ESD保护
电压范围:12V-200V SGT MOSFET 关键特征 先进的屏蔽栅极沟槽技术
超低栅极电荷 高功率集成 电压范围:30V-250V
【承诺】:本公司商品是100%原厂正品,环保产品!量多更加优惠!!!
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