RGS80TSX2DHRC11 晶体管 IGBT 晶体管
商品详情
| 制造商: | ROHM Semiconductor | |
| 产品种类: | IGBT 晶体管 | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 封装 / 箱体: | TO-247N-3 | |
| 安装风格: | Through Hole | |
| 配置: | Single | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1.2 kV | |
| 集电极—射极饱和电压: | 1.7 V | |
| 栅极/发射极最大电压: | - 30 V, 30 V | |
| 在25 C的连续集电极电流: | 80 A | |
| Pd-功率耗散: | 555 W | |
| 最小工作温度: | - 40 C | |
| 最大工作温度: | + 175 C | |
| 资格: | AEC-Q101 | |
| 封装: | Tube | |
| 商标: | ROHM Semiconductor | |
| 栅极—射极漏泄电流: | 500 nA | |
| 产品类型: | IGBT Transistors | |
| 工厂包装数量: | 30 | |
| 子类别: | IGBTs | |
| 零件号别名: | RGS80TSX2DHR | |
| 单位重量: | 9.128 g |
