SQJQ112ER-T1_GE3
商品详情
规格
| 产品属性 | 属性值 | |
|---|---|---|
| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | PowerPAK SO-8 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
| Id-连续漏极电流: | 296 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 2.53 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.5 V | |
| Qg-栅极电荷: | 181 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 175 C | |
| Pd-功率耗散: | 600 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 16 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 45 S | |
| 产品: | MOSFET | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 21 ns | |
| 工厂包装数量: | 2000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 典型关闭延迟时间: | 67 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 21 ns |
