NTR4170NT1G 晶体管 MOSFET
商品详情
| 制造商: | onsemi | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 3.9 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 55 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 12 V, + 12 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 600 mV | |
| Qg-栅极电荷: | 4.76 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.25 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 系列: | NTR4170N | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | onsemi | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 3.5 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 8 S | |
| 高度: | 0.94 mm | |
| 长度: | 2.9 mm | |
| 产品: | MOSFET Small Signal | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 9.9 ns | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 类型: | Power MOSFET | |
| 典型关闭延迟时间: | 15.1 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 6.4 ns | |
| 宽度: | 1.3 mm | |
| 单位重量: | 8 mg |
