MMBT5550LT1G
商品详情
| 产品属性 | 属性值 | |
|---|---|---|
| 制造商: | onsemi | |
| 产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | |
| 晶体管极性: | NPN | |
| 配置: | Single | |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 140 V | |
| 集电极—基极电压 VCBO: | 160 V | |
| 发射极 - 基极电压 VEBO: | 6 V | |
| 集电极—射极饱和电压: | 250 mV | |
| 最大直流电集电极电流: | 600 mA | |
| Pd-功率耗散: | 225 mW | |
| 增益带宽产品fT: | - | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| 系列: | MMBT5550L | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | onsemi | |
| 集电极连续电流: | 600 mA | |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min: | 60 | |
| 高度: | 0.94 mm | |
| 长度: | 2.9 mm | |
| 产品类型: | BJTs - Bipolar Transistors | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 子类别: | Transistors | |
| 技术: | Si | |
| 宽度: | 1.3 mm | |
| 单位重量: | 8 mg |
