BSC0923NDI 深圳市中利达电子科技有限公司原装价格优势 0755-83200645
商品详情
类别 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N 沟道（双）非对称型 | |
FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 | |
漏源电压（Vdss） | 30V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A，32A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 毫欧 @ 20A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 4.5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1160pF @ 15V | |
功率 - 最大值 | 1W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
供应商器件封装 | PG-TISON-8 | |
基本产品编号 |
