SI2371EDS-T1-GE3
商品详情
| 产品属性 | 属性值 | |
|---|---|---|
| 制造商: | Vishay | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 4.8 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 45 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 12 V, + 12 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.5 V | |
| Qg-栅极电荷: | 10.6 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 1.7 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | TrenchFET | |
| 系列: | SI2 | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | Vishay Semiconductors | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 52 ns | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 8 ns | |
| 工厂包装数量: | 3000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 52 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 28 ns | |
| 零件号别名: | SI2371EDS-T1-BE3 | |
| 单位重量: | 8 mg |
