制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOP-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 150 A

Rds On-漏源导通电阻: 850 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V

Qg-栅极电荷: 103 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 170 W

通道模式: Enhancement

商标名: U-MOSIX-H

系列: U-MOSIX-H

配置: Single

下降时间: 14 ns

高度: 0.95 mm

长度: 5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 13 ns

包装数量：5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 63 ns

典型接通延迟时间: 26 ns

宽度: 5 mm

单位重量: 83 mg