STP75NF75FP半导体 分立半导体 晶体管 MOSFET
商品详情
制造商: | STMicroelectronics | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | Through Hole | |
封装 / 箱体: | TO-220-3 | |
晶体管极性: | N-Channel | |
通道数量: | 1 Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 75 V | |
Id-连续漏极电流: | 80 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 11 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V | |
Qg-栅极电荷: | 117 nC | |
最小工作温度: | - 55 C | |
最大工作温度: | + 175 C | |
Pd-功率耗散: | 45 W | |
通道模式: | Enhancement | |
商标名: | STripFET | |
系列: | STP75NF75FP | |
封装: | Tube | |
商标: | STMicroelectronics | |
配置: | Single | |
下降时间: | 30 ns | |
正向跨导 - 最小值: | 20 S | |
高度: | 9.3 mm | |
长度: | 10.4 mm | |
产品类型: | MOSFET | |
上升时间: | 100 ns | |
工厂包装数量: | 1000 | |
子类别: | MOSFETs | |
晶体管类型: | 1 N-Channel Power MOSFET | |
典型关闭延迟时间: | 66 ns | |
典型接通延迟时间: | 25 ns | |
宽度: | 4.6 mm | |
单位重量: | 2 g |