商品目录绝缘栅场效应管(MOSFET) RoHS合规 通用封装- 安装方式贴片安装 最小工作温度-55℃(TJ) 最大工作温度150℃(TJ) 长*宽*高3.3mm*3.3mm*1mm 应用等级- 零件状态在售 包装方式未知,卷带包装 Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容2.08nF@ 40V FET类型N 沟道 Id-连续漏极电流40A(Tc) Idss-饱和漏极电流1μA Rds(On)-漏源导通电阻7.5mΩ@ 20A,10V Vds-漏源极击穿电压80V Vgs(th)-栅源极阈值电压3.8V@ 36μA Vgs-栅源极电压±20V 击穿电压- 最大功率- 最大功率耗散69W(Tc) 栅极电荷29.5nC@ 10V 通道数量1 配置Single