制造商

Texas Instruments

系列

FemtoFET?

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

76 毫欧 @ 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.05V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

1.33 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）

-20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

385 pF @ 10 V

功率耗散（最大值）

500mW（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

3-LGA（0.73x0.64）

封装/外壳

3-XFLGA

基本产品编号

CSD25501