STD10P10F6
商品详情
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） | |
Product Status | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | ||
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.5 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 864 pF @ 80 V | |
功率耗散（最大值） | 40W（Tc） | |
工作温度 | 175°C（TJ） | |
安装类型 | ||
供应商器件封装 | DPAK | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
