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DSEP2X101-04A艾赛斯mos管导通功率模块批次21+

标  题:
DSEP2X101-04A艾赛斯mos管导通功率模块批次21+
价  格:
125
发货地点:
江苏省/苏州市/昆山市
产品类别:
其他场效应管
更新时间:
2022/11/25 10:08:41

商品详情

苏州新杰邦电子技术有限公司:


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艾赛斯MOS管组合图

MOS 管作为半导体领域最基础的器件之一,无论是在IC 设计里,还是板级电路应用上,都十分多。

  目前尤其在大功率半导体领域,各种结构的 MOS 管更是发挥着不可替代的作用。作为一个基础器件,往往集简单与复杂与一身,简单在于它的结构,复杂在于基于应用的深入考量。

 MOS 管的半导体结构

  作为半导体器件,它的来源还是最原始的材料,掺杂半导体形成的 P 和 N 型物质。

  这就是一个 NMOS 的结构简图,一个看起来很简单的三端元器件。具体的制造过程就像搭建积木一样,在一定的地基(衬底)上依据设计一步步“盖”起来。

  MOS 管的工作机制

  以增强型 MOS 管为例,我们先简单来看下 MOS 管的工作原理。

  MOS 管类似三极管,也是背靠背的两个PN结!三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制CE之间的导通,MOS 管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。

  在开启电压不足时,N区和衬底P之间因为载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。

  给栅极提供正向电压后,P区的少子(电子)会在电场的作用下聚集到栅极氧化硅下,最后会形成一个以电子为多子的区域,叫反型层,称为反型因为是在P型衬底区形成了一个N型沟道区。这样DS之间就导通了。


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