射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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Qorvo TGF2929氮化镓功率晶体管离散(氮化镓)碳化硅(碳化硅)HEMTs(高电子迁移率晶体管)操作从直流到3.5 ghz。他们与QGaN25HV构造过程,功能先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。
Qorvo TGF2929氮化镓功率晶体管提供行业标准密封空气腔包和适合军用和民用雷达、陆地移动和军事无线电通讯,航空电子设备和测试仪器。这些设备可以支持脉冲和线性操作。
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管