制造商: Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极发射极最大电压 VCEO: 1200 
集电极射极饱和电压: 215
在25 C的连续集电极电流: 75 
栅极射极漏泄电流: 100 
Pd-功率耗散: 395 
最小工作温度: 负40 
最大工作温度: 正150 
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: 20 V
安装风格: Chassis Mount
产品类型: IGBT Modules
系列: Trenchstop IGBT4 - T4
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子类别: IGBTs
技术:
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: SP000624916 FF75R12RT4HOSA1
单位重量: 160